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USB 3.0存儲端設計注意事項



作者: | 出處:維庫開發網 | 2010-07-05 14:01:11 | 閱讀 101 次
      USB 3.0存儲端設計注意事項,超高速USB 3.0近一年來成為市場矚目的熱點,主要原因有兩點:第一是USB接口原本就是目前世界上應
超高速USB 3.0近一年來成為市場矚目的熱點,主要原因有兩點:第一是USB接口原本就是目前世界上應用最廣泛的接口,使用者眾多;第二則是對于10倍速傳輸速率的需求。
在高清畫質與藍光的普及下,USB 3.0 大幅減少了檔案傳輸的等待時間。USB 3.0具有向下兼容與超高速兩大優勢,在系統商與芯片廠商的合作下,我們相信該技術一定會迅速普及。正是由于USB 3.0改變了對傳統USB速度較慢的看法,祥碩科技將與大家分享關于USB 3.0存儲端設計應注意的事項。
      首先,由于祥碩科技提供的產品是屬于高速的產品,以目前市場上效能最高的產品ASM1051E為例,主要對外的兩個接口分別為USB 3.0 端與SATA 6G端,根據目前客戶端量產狀況,成功設計USB 3.0 模塊主要有三個要點。


            


保持高速信號的完整性
    信號的質量關系到數據的傳輸是否完整或U盤的可靠性。根據信號完整性制定出電路板的設計規范及組件的擺放位置,差動傳輸線阻抗控制,減少阻抗在電路板上所造成的不連續,而引起的信號多重反射及損失,干擾控制與抑制等,確保符合USBIF兼容測量結果。
USB 3.0設計建議如下:差動特征阻抗為85歐姆。印刷電路板的貫孔不能多于二個,以減少信號的衰減。一個信號的貫孔約增加1dB的損失。差動信號長度不超過1.5英寸,預防主控端印刷電路板可能導致的信號損失及USB 3.0連接器與電纜的良莠不齊,以達到最佳的效能。差動信號之間的間距最好多加地信號,以減少信號之間的干擾,如信號旁邊為頻率信號或是切換式電源信號,即再加大3~4倍的間距。在信號交流耦合電容選用0402大小封裝及NPO 或是X7R材質,且擺放至接近連接器的位置。如有ESD及EMI 組件的選用及擺放,則將組件位置也放在接近連接器的位置,建議的順序為連接器->ESD->EMI->交流耦合電容->ASM1051E,注意ESD及EMI的零件選用都要能夠符合要求,差動特征阻抗及信號損失非常低。

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